特許

J-GLOBAL ID：200903031804202127

クーロンブロッケード素子およびその形成方法

発明者： 生津 英夫 ,  栗原 健二 ,  永瀬 雅夫 ,  ▲高▼橋 庸夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088161
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288523
出願日： 1995年04月13日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 十分小さな細線島を形成し、高温度でのSET動作を達成する。【構成】 絶縁膜上にシリコン層が形成された構造からなる基板上において形成される素子構造が電荷を閉じ込めるための細線部1と、この細線部1に接続したソース,ドレイン領域となるソース電極部2およびドレイン電極部3と、細線部1に交差するように形成されたゲート電極部4と、このゲート電極部4の両端の細線部1がくびれているくびれ部5とからなる構造により達成でき、詳しくはゲート電極部4の周囲のみ細線部1が選択的にくびれてたくびれ部5を形成することよって達成できる。この場合、リソグラフィ法はゲート電極部4を露光するのみで良く、近接効果は生じない。また、セルフアラインでくびれ部5とゲート電極部1とを形成できる利点もある。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上にシリコン層が形成された構造からなる基板上に形成される素子構造において、前記シリコン層からなる電荷を閉じ込めるための細線部と、前記細線部に接続されたソース,ドレイン領域となる電極部と、前記細線部に交差して形成されたゲート電極部と、前記細線部のゲート電極部裾部分に形成されたくびれ部と、を有することを特徴とするクーロンブロッケード素子。

IPC (4件)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 29/80 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 618 C