特許
J-GLOBAL ID：200903031809070059
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-039122
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213410
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 p型ZnSe/p型ZnTe接合を有する半導体装置において、p側電極の良好なオーミック接触を得る。【構成】 p型ZnSeコンタクト層10とp型ZnTeコンタクト層13との間にp型ZnSTeコンタクト層12を挿入し、p型ZnTeコンタクト層13上にp側電極15を形成する。p型ZnSTeコンタクト層12は、例えば、その厚さ方向にp型ZnSeコンタクト層10側からp型ZnTeコンタクト層13側に向かってS組成比を減少させる。必要に応じて、p型ZnSeコンタクト層10とp型ZnSTeコンタクト層12との接合部におけるp型ZnSeコンタクト層10側に形成される空乏層内に例えばp型ZnSe/ZnSTe多重量子井戸層11を設け、それに正孔を共鳴トンネル効果により通す。
請求項（抜粋）：
p型ZnSe層と、上記p型ZnSe層上に設けられたp型ZnTe層と、上記p型ZnTe層上に設けられた金属からなるp側電極とを有する半導体装置において、上記p型ZnSe層と上記p型ZnTe層との間にp型ZnSTe層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/363
, C30B 23/08
, C30B 29/46
, H01L 21/203
, H01L 33/00
, H01S 3/18
