特許
J-GLOBAL ID：200903031810759613
レジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069599
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283414
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 折れて倒れることなくアスペクト比の大きい微細なレジストパターンを形成する。【構成】 Si基板1表面に形成したレジスト膜3を露光する。現像してレジストパターン13が形成された後、現像液、またはリンス液をSi基板1表面より脱離することなく遠紫外光7を照射して、レジストパターン13表面を変質する。それにより機械的強度が増し、現像液5やリンス液5を脱離する際の応力が小さくなる。よって、その後に現像液5やリンス液5を脱離乾燥してもレジストパターン13が折れて倒れることはない。
請求項（抜粋）：
基板表面に形成したレジストを露光した後、現像液に浸して現像し、形成されたレジストパターンが現像液またはリンス液に浸された状態で、前記レジストパターンに高エネルギー線を照射して前記レジストパターンの表面を改質した後、前記現像液またはリンス液を脱離乾燥することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
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