特許
J-GLOBAL ID：200903031816472952
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299019
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135518
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、ゲート電極直下の抵抗成分を低減し、ソース・ドレイン間の寄生抵抗成分を更に低減した電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板1上に設けられたN型動作層20上にショットキ接合するゲート電極3を挟んでソース電極4、ドレイン電極5が設けられ、少なくともドレイン側のゲート端部に低キャリア濃度の動作層20bを設けた。
請求項（抜粋）：
一導電型の動作層上にショットキ接合するゲート電極を挟んでソース、ドレイン電極が設けられた電界効果型トランジスタであって、少なくともドレイン側のゲート端部の動作層のシート抵抗値がゲート直下の動作層のシート抵抗値より大きく形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
