特許
J-GLOBAL ID：200903031816657677
加速度センサ
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-076978
公開番号（公開出願番号）：特開平6-289049
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 静電容量型シリコン加速度センサにおいて、温度特性が良く、電気的接続、内部封止の信頼性の高いセンサ構造を安価に提供する。【構成】 可動電極11、固定電極22、22’共にシリコン単結晶基板からなり、電極チップの表面に形成した厚い多孔質シリコン層を熱酸化した厚い酸化膜層201、201’を挟んで拡散接合した構造をもつ。又、センサチップの外周部で可動電極11と固定電極22、22’が短絡するのを防ぐため、外周部に空間3、3’を形成して両電極面を空間的に分離する構造とした。【効果】 同等な熱膨張率により温度特性が向上し、均一な接合部厚さにより電極間の間隙精度がよく、酸化膜厚によりセンサに好適な静電容量が得られ、又短時間の成膜で膜内の残留応力が小さく接合後の変形が小さい。センサチップは熱変形の少ない垂直実装ができ、外周部空間により基板間の短絡も防止できる。
請求項（抜粋）：
加速度によって変位する質量部、および前記質量部と対向して静電容量を形成する電極部を有する静電容量型の加速度センサにおいて、前記加速度によって変位する質量部、および前記質量部と対向して静電容量を形成する電極部が、いずれもシリコン単結晶からなり、それぞれのシリコン単結晶の接合界面が多孔質シリコンを酸化した層からなることを特徴とする加速度センサ。
IPC (2件)：
前のページに戻る
