特許
J-GLOBAL ID：200903031823512587
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060157
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264526
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体薄膜を酸素雰囲気中でスパッタリングすることにより、簡略な工程で強誘電体薄膜を製造することが可能な強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 強誘電体薄膜の製造方法において、基板10上に下部電極13を積層する下部電極積層工程と、強誘電体薄膜14を、酸素を含むスパッタリングガスを用いたスパッタ法により、下部電極13に電気的に接続された状態に積層する強誘電体薄膜積層工程と、強誘電体薄膜14に電気的に接続された上部電極15を積層する上部電極積層工程とで構成される。
請求項（抜粋）：
強誘電体薄膜の製造方法において、基板上に下部電極を積層する下部電極積層工程と、組成式(Bi2 O2 )2+(Am-1 BmO3m+1)2-(ここで、Aはビスマス(Bi)、鉛(Pb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、カドミウム(Cd)の内から選ばれる1つもしくは複数元素の組み合わせであり、Bはチタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)の内から選ばれる1つもしくは複数元素の組み合わせであり、mは1〜5の自然数である)を有する強誘電体薄膜を、酸素を含むスパッタリングガスを用いたスパッタ法により、前記下部電極に電気的に接続されて積層する強誘電体薄膜積層工程と、前記強誘電体薄膜に電気的に接続された上部電極を積層する上部電極積層工程と、を有する強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 21/316
, C01G 29/00
, C01G 35/00
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/316 Y
, C01G 29/00
, C01G 35/00 C
, C23C 14/08 K
, C23C 14/34 R
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
