特許
J-GLOBAL ID：200903031826115252
処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287325
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102025
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】簡単な構造により必要かつ十分な濃度の処理ガスを確実に供給することができる処理装置を提供する。【構成】収容タンク9に被処理体処理部1に連通する供給管3とN2 ガス供給管11を接続する。収容タンク9内に供給管3側とN2 ガス供給管11側とを区画する仕切体10を配設する。仕切体10とHMDS液8の液面との間隔hを一定に保持する。これにより、N2 ガス供給管11から収容タンク9内に供給されるN2 ガスが仕切体10とHMDS液8の液面との間隔hの隙間を通って供給管3側へ供給される際に、HMDS液8を気化し、その気化されたHMDSガスを半導体ウエハWの処理部1に供給する。
請求項（抜粋）：
被処理体処理部と、処理液収容部と、処理液気化部及びこれらを連結する配管とを具備する処理装置において、上記処理液収容部に、処理ガス搬送用の搬送用ガス供給管と上記被処理体処理部に連通する処理ガス供給管とを接続し、かつ上記処理液収容部内には、上記搬送用ガス供給管側と処理ガス供給管側との中間に、処理液の液面との間にガスの通路を形成すべく間隔を設けて仕切体を配設したことを特徴とする処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
