特許
J-GLOBAL ID：200903031828266703
回路基板
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-181713
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005730
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 放熱特性に優れ、かつ、絶縁耐圧の高い絶縁層を有する回路基板を提供する。【構成】 高電流制御用のパワー回路と、このパワー回路を制御する制御回路と、を搭載する回路基板である。ベース部材11上にAlNの絶縁層12を積層し、この絶縁層12上にパワー回路用の導体パターン13を形成する。この絶縁層12の熱伝導率は10W/m・K以上である。ベース部材11上に第2の絶縁層15を積層し、第2の絶縁層15上に上記制御回路用の導体パターン16を形成する。第2の絶縁層15は有機樹脂系材料、例えばエポキシ樹脂基板、ポリイミド樹脂基板、ガラスエポキシ樹脂基板等で形成する。
請求項（抜粋）：
大電力制御用のパワー回路と、このパワー回路を制御する制御回路と、を搭載する回路基板において、ベース部材と、このベース部材上に積層されるセラミックスの絶縁層と、この絶縁層上に形成された上記パワー回路用の導体パターンと、を備えるとともに、上記絶縁層の熱伝導率が10W/m・K以上であることを特徴とする回路基板。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
