半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-157375
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060193
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 SiC層を利用した,漏れ電流の少ないショットキーダイオード等として機能する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ショットキーダイオード10は、4H-SiCからなる半導体基板11と、エピタキシャル成長された4H-SiC層12と、イオン注入層13と、ショットキー電極14と、オーミック電極15と、熱酸化膜からなる絶縁体層16とを備えている。ショットキー電極14と絶縁体層16とが互いに接触することなく、両者間に間隙17が設けられているので、変質層が生じない。したがって、素子破壊や漏れ電流の発生を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる半導体層と、上記半導体層にイオン注入して形成されたイオン注入層と、上記半導体層のうち少なくとも上記イオン注入層を除く領域の上に形成されたショットキー電極と、上記ショットキー電極とは所定の間隙をもって上記イオン注入層の上に形成された絶縁体層とを備えている半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/47 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 21/265 602 A , H01L 29/48 F , H01L 29/48 D , H01L 21/265 Z

Fターム (10件)：

4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104EE15 , 4M104FF13 , 4M104FF35 , 4M104GG03

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