特許

J-GLOBAL ID：200903031837667389

突起電極の形成方法

発明者： 安間 章隆 ,  原 勝男 ,  田中 章雅
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296056
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136148
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 高さが均一に揃った突起電極を、所望の高さに形成することができる突起電極の形成方法を提供することにある。【構成】 CCD基板10上に、Ti膜15、Au膜16を順に平面的に形成する工程と、形成したAu膜16の表面にポリイミド膜17を選択的に形成し、複数の突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、Au膜16をメッキ電極としてCCD基板10に電気メッキを施し、ポリイミド膜17によって形成した各突起電極の形成予定領域に、電極材料11 ́を析出させる工程とを備え、Au膜16上に形成するポリイミド膜17の膜厚の設定を増減させることによって、形成すべき突起電極の高さを制御することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、該半導体基板とオーミック接触する下地金属膜を平面的に形成する工程と、形成した前記下地金属膜の表面にポリイミド膜を選択的に形成し、複数の突起電極の形成予定領域を露出させる工程と、前記下地金属膜をメッキ電極として前記半導体基板に電気メッキを施し、前記ポリイミド膜によって形成した前記各突起電極の形成予定領域に、該突起電極の電極材料を析出させる工程とを備え、前記下地金属膜に形成する前記ポリイミド膜の膜厚によって、形成すべき突起電極の高さを規定することを特徴とする突起電極の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 27/14 F