特許
J-GLOBAL ID：200903031839082159
半導体装置の冷却装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058714
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275752
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 高発熱の集積回路チップを冷媒で直接冷却する場合、集積回路チップ内部の温度を均一に保ちつつ効率良く冷却する。【構成】 集積回路チップ1Aはセラミック・パッケージ1Bに埋設され、セラミック・パッケージ1Bにはピン形の放熱フィン6が搭載されている。この放熱フィン6はセラミック・パッケージ1Bの中央部に集中して、すなわち、集積回路チップ1Aが埋設された箇所に対応して設けられている。このような構成にすることにより、集積回路チップ1Aの中心部と周辺部において、伝熱面積の実効拡大率が概ね等しくなるように放熱フィン6の高さと密度を定めれば、集積回路チップ1内における放熱効率がほぼ一様となり、集積回路チップ1を均一な温度に保ちながら冷却することができる。
請求項（抜粋）：
集積回路チップを含む集積回路部品と、該集積回路部品を搭載した基板と、前記集積回路部品と前記基板を収納し内部に冷媒が循環するケースと、を備えた半導体装置において、前記集積回路チップの発熱面積に対する伝熱面積の実効拡大率と伝熱面の熱伝達率との積を放熱効率とするとき、前記集積回路チップの局所的な発熱密度と放熱効率との比を、前記集積回路チップ内の全ての位置で概ね一定とする手段を設けたことを特徴とする半導体装置の冷却装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/46 Z
, H01L 23/36 Z
