特許

J-GLOBAL ID：200903031839852914

関数的に勾配がある可変d-係数を有する圧電性材料を含む圧電性素子を形成する方法

発明者： ディリップ・ケイ・チャッタージー ,  シアマル・ケイ・ゴーシュ ,  エドワード・ピー・ファーラニ
出願人/特許権者： イーストマン コダック カンパニー
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124171
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049400
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 関数的に勾配がある可変d-係数を有する圧電性材料を含む圧電性素子を形成する方法を提供する。【解決手段】 以下のステップによって、圧電性材料の一様な濃度を有するブロックをコーティングすることを含む、関数的に勾配がある可変d-係数を有する圧電性材料を含む圧電性素子を形成する方法である。それは、ブロックとは異なる化学的構成を有する圧電性材料を含む第1層をブロックの表面に加えて、ブロックと異なる結晶構造を設けるステップと、1つまたは複数の圧電性材料の層を第1層およびそれに続く層に連続して加え、ここにおいて異なる化学的構成を有する圧電性材料の層もブロックおよび後に加えられた層と異なる結晶構造を有していて、関数的に勾配があるd-係数を有する圧電性素子を形成するステップからなる。

請求項（抜粋）：

圧電性材料の一様な濃度を有するブロックをコーティングすることを含む、関数的に勾配がある可変d-係数を有する圧電性材料を含む圧電性素子を形成する方法であって、(a)ブロックとは異なる化学的構成を有する圧電性材料を含む第1層をブロックの表面に加えて、ブロックと異なる結晶構造を設けるステップと、(b)1つまたは複数の圧電性材料の層を第1層およびそれに続く層に連続して加え、ここにおいて異なる化学的構成を有する圧電性材料の層もブロックおよび後に加えられた層と異なる結晶構造を有していて、関数的に勾配があるd-係数を有する圧電性素子を形成するステップとによって、関数的に勾配がある可変d-係数を有する圧電性材料を含む圧電性素子を形成する方法。

IPC (4件)：

H01L 41/24 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/09 ,  H02N 2/00

FI (4件)：

H01L 41/22 A ,  H02N 2/00 B ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/08 C