特許
J-GLOBAL ID：200903031845218780
埋込プラグの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157376
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022426
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト抵抗が小さく、配線微細化の可能な埋込プラグの形成方法を提供する。【構成】 パターンの合わせずれに対応して層間絶縁膜14がオーバーエッチされると微小な溝19が形成される。しかし、Cl系ガスを用いたRIEにより、ヴィア孔14aの底部に露出する下層配線金属膜13が溝19の底面深さに等しくなるまでエッチング除去されるため、溝19はなくなる。その後、Al金属が選択CVD法によりヴィア孔14aの内部に埋込性よく選択堆積され、埋込プラグ16が形成される。
請求項（抜粋）：
下層配線パターンマスクを用いて下層配線金属膜をパターニングする工程と、パターニングされたこの下層配線金属膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、この層間絶縁膜上にホトレジストを形成する工程と、前記下層配線パターンマスクに合わせられたホールパターンマスクを用いて前記ホトレジストをパターニングする工程と、パターニングされた前記ホトレジストをマスクに前記層間絶縁膜をエッチングして前記下層配線金属膜が一部露出するヴィア孔を形成する工程と、前記ホトレジストを除去した後に基板表面をドライエッチングする工程と、前記ヴィア孔の内部に金属膜を選択的に堆積して埋込プラグを形成する工程とを備えた埋込プラグの形成方法において、前記各パターンマスクに形成されるパターン間には寸法マージンがほとんど設けられておらず、ホトレジストを除去した後に基板表面について行われる前記ドライエッチングは、ヴィア孔を形成する前記エッチングにより前記層間絶縁膜がオーバーエッチングされる深さまで、前記ヴィア孔に露出する前記下層配線金属膜に対して行われることを特徴とする埋込プラグの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 C
, H01L 21/88 D
