特許

J-GLOBAL ID：200903031846587541

酸化亜鉛を選択的に原子層堆積させた構造物の製造方法

発明者： ジョン エフ.コンリー,ジュニア ,  ヨシ オノ ,  ディヴィッド アール.エヴァンス
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-084205
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310808
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】本発明は、ZnOを選択的にALDさせた構造物およびその製造方法を提供する。【解決手段】上記方法は、シリコンウェーハを用意する工程14と、ZnOの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該ウェーハにパターン形成する工程16と、ALDにより該ウェーハ上にZnOの層を堆積させる工程20と、該ウェーハから該阻害作用物を除去する工程24とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ウェーハ上にZnOの選択的原子層堆積(ALD;Atomic Layer Diposion)を行う方法であって、該方法が、 上記ウェーハとしてシリコンウェーハを用意する工程と、 ZnOの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該シリコンウェーハに対してパターン形成する工程と、 ALDにより該シリコンウェーハ上にZnOの層を堆積させる工程と、 該シリコンウェーハから該阻害作用物を除去する工程と を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/365 ,  C23C 16/40

FI (2件)：

H01L21/365 ,  C23C16/40

Fターム (18件)：

4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA24 ,  4K030BA47 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB22 ,  5F045AC09 ,  5F045AD05 ,  5F045AF03 ,  5F045DB02 ,  5F045HA13