半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-137060
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349724
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】特に化学増幅系ポジ型レジストのレジストパターンのT型形状を解消し、矩形で精度の良いフォトレジストパターンを再現性よく形成する。【構成】化学増幅系ポジ型のフォトレジスト膜2をマスク4を用いて露光したのち、ブロード光により全面露光を行い多量の酸発生領域3Aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に化学増幅系ポジ型のフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト膜を所望のパターンを有するマスクを用いて露光したのち前記フォトレジスト膜の全面を露光する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/38 511

FI (2件)：

H01L 21/30 361 L , H01L 21/30 361 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

全件表示

前のページに戻る