特許
J-GLOBAL ID：200903031853197236
マイクロ波型イオン源
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011251
公開番号（公開出願番号）：特開平9-204890
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 マイクロ波を外部へ漏らすことなく、イオン引出孔7aの引出面積を増大させることによって、大電流のイオンビームを引き出す。【解決手段】 プラズマチャンバ2のマイクロ波導入窓部3側に、マイクロ波減衰部2aを形成する。上記マイクロ波減衰部2aは、導入されるマイクロ波の周波数以上の遮断周波数を有するように形成される。また、プラズマチャンバ2のイオン引出孔7a側は、ビーム引き出し方向に対して垂直な断面の断面積が、マイクロ波減衰部2aにおけるビーム引き出し方向に対して垂直な断面の断面積よりも大きくなるように形成されている。これにより、イオン引出孔7aの引出面積を従来よりも、その長手方向に増大させることができる。その結果、マイクロ波を外部へ漏らさずに、引出面積の増大したイオン引出孔7aから、従来よりも大電流のイオンビームを引き出すことができる。
請求項（抜粋）：
マイクロ波をチャンバ内に導くためのマイクロ波導入窓部と対向する位置に、チャンバ内でマイクロ波放電によって生成されたプラズマ中のイオンを外部へ引き出すためのイオン引出孔を有するプラズマチャンバを備えたマイクロ波型イオン源において、上記プラズマチャンバは、そのマイクロ波導入窓部側に、導入されるマイクロ波の周波数以上の遮断周波数を有するマイクロ波減衰部が形成されていると共に、上記プラズマチャンバのイオン引出孔側は、ビーム引き出し方向に対して垂直な断面の断面積が、マイクロ波減衰部におけるビーム引き出し方向に対して垂直な断面の断面積よりも大きくなるように形成されていることを特徴とするマイクロ波型イオン源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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