特許

J-GLOBAL ID：200903031858949317

半導体装置の製造方法

発明者： 松元 道一 ,  橋本 和彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132177
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326385
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 EB露光時におけるチャ-ジアップを防ぐ。【構成】 エッチングしようとする2の層間絶縁膜A上に薄い金属膜5を堆積した後、EB露光用レジスト6を塗布する。その後、EB露光を行う。マスクとなるレジスト6を介して、最初に金属膜5をエッチングする。続いて層間絶縁膜Aをエッチングする。【効果】 薄い金属膜5が存在することにより、EB露光時のチャ-ジアップを防ぐことが可能となる。そして、露光時のチャ-ジアップにより発生する異常放電やパタ-ンずれがなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に薄い金属膜を形成する工程と、前記金属膜上にレジストを塗布する工程と、電子ビ-ム露光法を用いて前記レジストをパタ-ンニングする工程と、パタ-ンニングされたレジストをマスクとして金属膜をエッチングする工程と、連続してその下層の絶縁膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/30 341 P ,  H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 361 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-054633
  
• 特開昭59-155149
  
• 特開平3-262148
  
• 特開昭62-174915