特許

J-GLOBAL ID：200903031867218805

微小面積トンネル接合の作製方法

発明者： 諸橋 信一
出願人/特許権者： 有限会社 山口ティー・エル・オー
代理人 (1件)： 高木 義輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-094997
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299705
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 超伝導トンネル接合、或いは強磁性トンネル接合のナノスケール化を可能とするレジストパターニングを必要とせず、ナノスケールの精度で微小面積トンネル接合が作製できる方法を提供することを目的とする。【解決手段】 集束イオンビームにより、レジストパターニングを用いずに、微小面積トンネル接合を作製する方法であって、上部電極層上部に集束イオンビームによる加工時の劣化防止層を設けた新規のトンネル接合構造を用い、任意の位置に任意の形状でナノスケールの微細加工ができるという集束イオンビームの特徴をフルに利用して、ノナスケールの精度で微小面積トンネル接合を作製する。

請求項（抜粋）：

集束イオンビームによるレジストパターニングを必要としない、微小面積トンネル接合の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 39/24 ZAA ,  H01L 43/00

FI (2件)：

H01L 39/24 ZAA J ,  H01L 43/00

Fターム (11件)：

4M113AA04 ,  4M113AA14 ,  4M113AA25 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113BA05 ,  4M113BA07 ,  4M113BA08 ,  4M113BB08 ,  4M113BC04 ,  4M113CA13