特許
J-GLOBAL ID：200903031869879507
薄膜インダクタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309754
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129471
出願日： 1995年11月02日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【目的】 絶縁性基板に金属薄膜の膜厚の厚い渦巻、つづら折れ形、スパイラル路のインダクタンス素子に関するもので、具体的には数百MHz〜数拾GHzの高周波信号を処理するために用いられる準ミリ波、並びにマイクロ波集積回路に用いられるインダクタ素子に関する。【構成】 絶縁性基板に、リソグラフィ技術等を利用して、予め渦巻導体線路と同一寸法形状に0.1μm〜10.0μmの凹面を形成した絶縁性基板表面に、金属を全面着膜堆積し、該絶縁基板上の凹状渦巻導体をリソグラフィ技術に因って、渦巻状導体金属薄膜のみを残し、それ以外の箇所の金属薄膜は全て除去して作製することに因り、絶縁基板に予め形成された、凹面深さ分の渦巻導体の膜厚分だけ膜厚を容易に厚くする事が出来る為、導体抵抗の抵抗値を低く製作出来ることを特徴とする薄膜インダクタ。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板に、リソグラフィ技術等を利用して、予め渦巻導体線路と同一寸法形状に0.1μm〜10.0μmの凹面を形成した絶縁性基板表面に、金属を全面着膜堆積し、該絶縁基板上の凹状渦巻導体をリソグラフィ技術によって、渦巻状導体金属薄膜のみを残し、それ以外の箇所の金属皮膜は、全て除去することに因り、絶縁基板に予め形成された凹面深さ分の渦巻導体の膜厚分だけ、膜厚を容易に厚くし、導体抵抗の抵抗値を小さく製作し、インダクタの損失を小さくすることを特徴とする薄膜インダクタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01F 41/04 C
, H01F 17/00 B
, H01F 17/00 C
