特許

J-GLOBAL ID：200903031869889561

炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置

発明者： 原 一都 ,  永久保 雅夫 ,  恩田 正一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-343664
公開番号（公開出願番号）：特開2002-154899
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【課題】 混合ガスによる詰まりを抑制した炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 第1の部材31と第2の筒状部材36とを有して構成されるるつぼ30が下部容器2内に配置されている。この第1の部材31の内側に台座33が配置され、台座33には種結晶34が取り付けられている。導入配管50とるつぼ30との間には第2の断熱部材52が設けられ、導入配管50の途中には第1の断熱部材51が設けられ、導入配管50にはるつぼ30に近づくにつれて高温になる温度勾配が設けられている。そして、導入配管50の下方から混合ガスをるつぼ30内に導入して、種結晶34上にSiC単結晶を形成する。

請求項（抜粋）：

るつぼ(30)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(34)を配置し、前記るつぼ内にSiを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記混合ガスを前記るつぼ内に導入するために用いる導入配管(50)に対して、前記るつぼに近づく程高温になる温度勾配を設けることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/16

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 25/16

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EA02 ,  4G077EG22 ,  4G077EH10 ,  4G077HA12 ,  4G077TJ01 ,  4G077TJ03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 結晶成長装置及びこれを使用した結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-193806   出願人：工業技術院長
• CVDによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-504350   出願人：エービービーリサーチリミテッド, オクメティックリミテッド