特許

J-GLOBAL ID：200903031871165988

半導体集積回路装置

発明者： 佐藤 広之
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163715
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022420
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、半導体集積回路装置のパッド配置を容易にすること、チップ面積を減少すること、接地電位配線や電源配線等の抵抗を低減することにある。【構成】入力回路の素子領域Q1〜Q4、出力回路の素子領域R1〜R4、回路機能領域K1,K2等の上に、絶縁膜を介して、第2のアルミニウム層E1を形成し、その上にさらに絶縁膜を介してボンディング・パッドP1〜P10を配置する。又、スルーホールT11〜T14と第1のアルミニウム配線層A11〜A12とにより、接地電位の第3のアルミニウム配線層と第2のアルミニウム層E1を接続して、接地電位配線の抵抗の低減をはかる。

請求項（抜粋）：

素子が形成された半導体チップ上に第1の絶縁膜を介して第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に第2の絶縁膜を介して、ボンディング・パッド及び配線を、第2の導電層にて形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 B ,  H01L 27/04 D