特許
J-GLOBAL ID：200903031875567134
マルチチップモジュール及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215059
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078618
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体チップを基板の上面と下面とに実装してなるマルチチップモジュールに関し、放熱性の向上を実現する。【構成】 AlN製のセラミック基板40と、この上面にフリップチップ方式で実装してあるチップ32-1,32-2と、基板の下面にダイス付けしてあるチップ32-3,32-4と、チップ32-1,32-2上に接着してある第1の熱伝導ブロック33-1,33-2と、基板の上面に接着してある第2の熱伝導ブロック34-1,34-4と、樹脂パッケージ35と、第1の熱伝導ブロックと第2の熱伝導ブロックとに密着して、樹脂パッケージの上面に接着してあるヒートシンク36とを有する。チップ32-1,32-2で発生した熱は、第1の熱伝導ブロックを経て、ヒートシンクへ到って放熱される。チップ32-3,32-4で発生した熱は、基板40,第2の熱伝導ブロックを経て、ヒートシンクへ到って放熱される。
請求項（抜粋）：
通常のセラミック基板より高い熱伝導率を有する高熱伝導セラミック基板と、該高熱伝導セラミック基板の上面にフリップチップ方式で実装してある上面側半導体チップと、該上面側半導体チップ上に接着してある高熱伝導材料製の第1の熱伝導ブロックと、上記高熱伝導セラミック基板の上面に接着してある高熱伝導材料製の第2の熱伝導ブロックと、上記高熱伝導セラミック基板の下面にダイス付けされて実装してある下面側半導体チップと、該高熱伝導セラミック基板と、該上面側半導体チップと、該第1の熱伝導ブロックと、該第2の熱伝導ブロックと、該下面側半導体チップとを封止する樹脂パッケージと、該樹脂パッケージより突出しており、回路基板へ実装するときに該回路基板に接合されるリードと、該樹脂パッケージの上面を研摩することによって、上記の第1の熱伝導ブロックと、該第2の熱伝導ブロックとが露出した状態とされた、上記樹脂パッケージの上面に接着されたヒートシンクとよりなる構成としたことを特徴とするマルチチップモジュール。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/34
