特許

J-GLOBAL ID：200903031877703876

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 竹内 信善
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-078588
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288314
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 不揮発性メモリセルのバンド・バンド間トンネル電流を抑制しつつ、拡散層で形成されるソース線やビット線の抵抗値を低抵抗として高速性能を維持し得る半導体記憶装置及びその製造方法を提供するものである。【構成】 絶縁膜5で埋め込まれたドレイン拡散層D及びソース拡散層Sを備える不揮発性メモリセルTであり、そのチャネル領域の四方が絶縁膜2,5で覆われ、隣接するメモリセルのドレイン拡散層D間及びソース拡散層S間に夫々拡散層3が形成されてビット線及びソース線が形成され、ドレイン拡散層D及びソース拡散層Sの不純物濃度に対してソース線或いはビット線の拡散層3の不純物濃度を高くしたものである。

請求項（抜粋）：

複数の不揮発性メモリセルが配列する半導体記憶装置に於いて、隣接する前記不揮発性メモリセルのチャネル領域間を絶縁する領域と、隣接する前記不揮発性メモリセルのソース領域間及びドレイン領域間を電気的に接続する拡散層とを有し、前記拡散層の不純物濃度が前記ソース領域及びドレイン領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371