特許
J-GLOBAL ID：200903031880728154
高速レベルシフト回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152378
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343979
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用い、かつ複数の電源系を持つ集積回路において、異なった電源系の信号をやりとりするレベルシフト回路において、低消費電流で応答性の高いレベルシフト回路を提供する。【構成】立ち下がりは速いが、立ち上がりは遅いという特徴を持ったレベルシフト回路と、ラッチ回路と選択回路とを内部に有する高速信号選択回路を組み合わせた。この構成より、レベルシフト回路の第1、第2の出力は共に立ち上がりは遅いが、立ち下がりは速いので、それら応答性の速い立ち下がり信号を高速信号選択回路によって選択して出力する。【効果】低消費電流でありながら、立ち下がりも、立ち上がりも応答の速い高速レベルシフト回路が実現する。
請求項（抜粋）：
a)第1の極性の第1の電位E1と第1の極性の第2の電位E2と、第2の極性の基準電位0とを電源として有する半導体集積回路において、b)基準電位0と電位E1との間で動作する入力信号端子と、基準電位0と電位E1との間で動作する前記入力信号端子の反転信号を作る反転回路と、ソース電極がE2の電源端子に接続される第1の導電型の第1の絶縁ゲート電界効果型トランジスタ(以下MOSFETと略す)と第1の導電型の第2のMOSFETと、ソース電極が基準電位0の電源端子に接続される第2の導電型の第3のMOSFETと第2の導電型の第4のMOSFETとを少なくとも有し、第1のMOSFETと第3のMOSFETのそれぞれのドレイン電極は互いに接続され、かつ第2のMOSFETのゲート電極に接続され、かつ該接続点が第2の出力信号端子となっており、第2のMOSFETと第4のMOSFETのそれぞれのドレイン電極は互いに接続され、かつ第1のMOSFETのゲート電極に接続され、かつ該接続点が第1の出力信号端子となっており、前記0とE1との間で動作する入力信号端子が第3のMOSFETのゲート電極に接続され、前記0とE1との間で動作する反転回路の出力端子が第4のMOSFETのゲート電極に接続されたことからなるレベルシフト回路と、c)前記レベルシフト回路の第1の出力信号端子と第2の出力信号端子を入力し、直前の状態を記憶したラッチ回路と信号を選択する選択回路とを内部に有し、高速の信号を選択出力する高速信号選択回路から構成されていることを特徴とする高速レベルシフト回路。
IPC (2件)：
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