特許
J-GLOBAL ID：200903031881031858
薄膜光電変換装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051477
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263733
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】薄膜光電変換素子をモジュール化する際、電極への接続工程で受光面に不良が発生しやすい問題を解決する。【構成】可とう性基板上に形成された発電領域の電極が、基板を貫通する導体により基板裏面の電極と接続されている素子を用い、受光面をパッシベーション膜、シリコーン樹脂あるいは透明フィルムで被覆してから基板裏面で接続をする。
請求項（抜粋）：
可とう性の絶縁性基板の一面上に光電変換層である半導体層をはさんで基板側に第一電極層、反対側に透明な第二電極層が設けられ、基板の他面上に第三電極層が設けられ、第三電極層が第二電極層と基板、第一電極層および半導体層を貫通する接続孔を通じ、第一電極層と実質的に絶縁された導体により接続され、第三電極層の第二電極層と接続される領域とは分離された領域が、第一電極層と、少なくとも基板を貫通する接続孔を通じ、その第一電極層と半導体層をはさんで対向する第二電極層の領域と実質的に絶縁された導体により接続された薄膜光電変換素子よりなるものにおいて、第二電極層の反基板側に保護被覆を備えたことを特徴とする薄膜光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 S
, H01L 31/04 M
, H01L 31/04 R
