特許

J-GLOBAL ID：200903031883281096

半導体装置

発明者： 近藤 雄 ,  斉藤 雅之 ,  山田 浩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-126406
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343471
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子チップを、熱膨脹係数の異なる回路基板にフェイスダウン方式で実装してなる半導体装置において、繁雑な工程を要せずに構成でき、かつ熱ストレスなどに起因するバンプ領域での破断現象などが解消され、またすぐれた放熱性を呈する半導体装置の提供を目的とする。【構成】 バンプ6,7を2重構造とした事を骨子とするものである。すなわち、主面に所要の接続パッド4aを有する回路基板4と、前記回路基板4の接続パッド4aにバンプを介してフェイスダウンで実装された半導体素子チップ1とを備えた半導体装置において、前記バンプ6,7は半導体素子チップ1の電極パッド1aと回路基板4の接続パッド4aとを電気的に接続する第1の金属6a,7a および前記第1の金属6a,7a の周面を一体的に被覆する第2の金属6b,7b 層から成り、かつ第1の金属6a,7a のヤング率もしくは熱伝導係数が第2の金属6b,7b のヤング率もしくは熱伝導係数より大きいものに選択・設定されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

主面に所要の接続パッドを有する回路基板と、前記回路基板の接続パッドにバンプを介してフェイスダウンで実装された半導体素子チップとを備えた半導体装置において、前記バンプは半導体素子チップの電極パッドと回路基板の接続パッドとを電気的に接続する第1の金属および前記第1の金属の周面を一体的に被覆する第2の金属層から成り、かつ第1の金属のヤング率もしくは熱伝導係数が第2の金属のヤング率もしくは熱伝導係数より大きいものに選択・設定されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-123440
  
• 特開平1-238044
  
• 特開昭62-160744