特許
J-GLOBAL ID：200903031884211113
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-242415
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055207
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】表面保護膜とGaAsなどの化合物半導体との界面の不安定を生じない表面保護膜の構造を提供する。【構成】化合物半導体と、該化合物半導体3の表面に形成された複数の電極4,6,5と、該複数の電極間における前記化合物半導体の表面を被覆する屈折率2.2以上の窒化シリコン膜7と、該窒化シリコン膜を被覆する絶縁膜8とを有する。【効果】電極間の不要な電流が低減でき、同時に化合物半導体の十分な保護が可能となり、半導体装置の信頼性を著しく向上することができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体と、該化合物半導体の表面に形成された複数の電極と、該複数の電極間における前記化合物半導体の表面を被覆する屈折率2.2以上の窒化シリコン膜と、該窒化シリコン膜を被覆する絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/318
, C04B 35/58 102
