特許

J-GLOBAL ID：200903031888789632

パッシベーション層を有する半導体素子

発明者： マティアス,シュテッヒャー
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-366627
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179916
出願日： 2005年12月20日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】パッシベーション層に亀裂が生じても機能が損なわれない、または、機能が損なわれることを小さく抑える半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子は、半導体基板(1)と上記半導体基板(1)の上側に配置されるとともに、側面に沿ってお互い隣接する複数の金属領域(81,82,83)と絶縁体領域(10)とを有し、上記金属領域(81,82,83)が、上記半導体本体(1)に電流を供給する役目を果たしている金属/絶縁体構造(2)とを備えている。上記金属/絶縁体構造は、半導体基板(1)の上側に配置されており、複数の金属領域(81,82,83)と側面に沿って相互に隣接する絶縁体領域(10)とを有している。さらに、半導体素子は、金属/絶縁体構造(2)上に配置されたパッシベーション層(3)を備えている。パッシベーション層(3)は、金属または金属を含む化合物からなっている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)と、 上記半導体基板(1)の上側に配置されるとともに、側面に沿ってお互い隣接する複数の金属領域(81、82、83)と絶縁体領域(10)とを有し、上記金属領域(81、82、83)が、上記半導体本体(1)に電流を供給する役目を果たしている金属/絶縁体構造(2)と、 上記金属/絶縁体構造(2)上に配置されたパッシベーション層(3)とを備え、 上記パッシベーション層(3)が、金属または金属を含む化合物からなっていることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2件)：

H01L21/88 R ,  H01L23/30 D

Fターム (18件)：

4M109AA04 ,  4M109CA26 ,  4M109EA20 ,  4M109ED05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH15 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM11 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033WW02 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-196428
  
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231348   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-179230