特許
J-GLOBAL ID：200903031889192486
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265800
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109712
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の金属めっき配線と層間絶縁膜との密着性を強化する金属接着膜のパターニングの容易性向上。【構成】断面形状がオーバーハング状となった第1のフォトレジストパターン4と第2のフォトレジストパターン6を用いて、金属めっき配線7を前記4より薄い膜厚に形成する。その後、前記4,6を残したまま上層層間膜9と金属めっき配線7の密着力を強化するための金属接着膜8を基板表面全体に被着する。この後、前記8が前記4,6のオーバーハング部で分断されている事を利用し、前記8の不要部分をリフトオフ法で除去し、前記7の上層表面部のみに金属接着膜8を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に対する所要の素子形成工程を終了した後、第1のフォトレジストに第1の開口窓をパターニング形成し、めっきで金属を成長させる領域の下地膜を露呈させる工程と、前記第1のフォトレジストパターンを残したままポリイミド樹脂を塗布し表面の平坦化を行った後その上層部をエッチング除去し前記第1の開口窓にポリイミド樹脂を残す工程と、第2のフォトレジストパターンを塗布形成し第1の開口窓より小さい領域に第2の開口窓を形成しポリイミド樹脂を露呈させる工程と、第2のフォトレジストパターンをマスクとしてポリイミド樹脂を全て除去する工程と、めっきにより第1の開口窓内に金属めっき配線を形成する工程と、金属めっき配線と上層の層間絶縁膜との密着性を強化するための金属接着膜を第2のフォトレジストパターンを残したまま基板表面全体に被着する工程と、金属接着膜の不要部分、第2のフォトレジストパターン及び第1のフォトレジストパターンを剥離し金属めっき配線の表面部のみに金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/027
H01L 21/88 B
, H01L 21/30 361 X
