特許

J-GLOBAL ID：200903031889382749

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山田 浩 ,  栂嵜 隆 ,  舘山 和樹 ,  宮城 武史 ,  森 三樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-103213
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294337
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 回路配線基板の熱膨張係数の相異に起因するバンプ応力歪が十分に緩和され、接続信頼性の高いバンプ電極構造を有する半導体装置を、腐食の原因となる不純物を含有するフラックスを用いずに得る。【解決手段】 回路基板側から順に、高融点はんだ金属層、中融点はんだ金属層、及び低融点はんだ金属層からなるバンプ電極を使用する。

請求項（抜粋）：

回路基板、該回路基板上に設けられた半導体チップ接続端子電極、該半導体チップ接続端子電極上に設けられた第1の融点を有する第1のはんだ金属層、該回路基板の第1のはんだ金属層側に離間して設けられた半導体チップ、該半導体チップ上に、該第1のはんだ金属層と対向して設けられたボンディングパッド、該ボンディングパッド上に形成され、前記第1の融点より低い第2の融点を有する第2のはんだ金属層、及び第1のはんだ金属層及び第2のはんだ金属層間を接合するように設けられ、前記第1の融点より低くかつ前記第2の融点より高い第3の融点を有する第3のはんだ金属層を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 B ,  H01L 21/92 602 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-181338
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006402   出願人：富士通株式会社