特許
J-GLOBAL ID：200903031890730467
半導体結晶の欠陥評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-089448
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274257
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 強励起顕微フォトルミネッセンス法ではあまり感度のない酸素析出物やGrown-in欠陥のような結晶の構造欠陥を、結晶表面の粗れ、デバイスパターンの段差、パーティクルや汚れ等の影響を受けずに、非接触かつ高感度に検出評価する方法を提供する。【解決手段】 強励起顕微フォトルミネッセンス法による半導体結晶の欠陥評価方法において、半導体結晶を重金属で汚染した後、強励起顕微フォトルミネッセンス欠陥検出装置で欠陥を検出することを特徴とする半導体結晶の欠陥評価方法である。
請求項（抜粋）：
強励起顕微フォトルミネッセンス法による半導体結晶の欠陥評価方法において、半導体結晶を重金属で汚染した後、強励起顕微フォトルミネッセンス欠陥検出装置で欠陥を検出することを特徴とする半導体結晶の欠陥評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 L
, G01N 21/64 E
