特許

J-GLOBAL ID：200903031896954120

バイポーラトランジスタの作製方法

発明者： 伊藤 弘
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010109
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205101
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 炭素を不純物として含むベース層を有するHBTにおいて、炭素不純物の水素化率を低減させる。【解決手段】 炭素添加ベース層にn型エミッタ層、n型i型の第1キャップ層を堆積し、不活性ガス中で炭素不純物の活性化熱処理を行ったのち、第2のエミッタ層や第2のキャップ層を順次再成長する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にコレクタ層、炭素が不純物として添加されているp型のベース層およびn型第1のエミッタ層を、気相成長法により順次堆積するバイポーラトランジスタの作製方法において、上記炭素を添加したベース層を成長したのち、n型のエミッタ層、およびn型またはi型の第1キャップ層を順次堆積し、上記半導体層構造を不活性ガス雰囲気中で炭素不純物の活性化熱処理を行ったのち、n型の第2のエミッタ層およびn型の第2のキャップ層を、順次再成長することを特徴としたバイポーラトランジスタの作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/205

FI (4件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 C ,  H01L 29/205