特許

J-GLOBAL ID：200903031898066680

窒化化合物半導体の形成方法

発明者： 菱田 有二 ,  吉江 睦之
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009691
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221018
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 IIIb-Vb族化合物半導体からなる単結晶表面に簡単にIIIb族元素と窒素からなる窒化化合物半導体を形成する窒化化合物半導体の形成方法を提供することが目的である。【構成】 GaAs化合物半導体からなる単結晶基板5を、該単結晶表面からAsが蒸発する温度以上に加熱した状態で、窒素ガスを用いてプラズマ放電させた後に生成した単結晶表面に励起電子状態にある窒素原子、窒素イオン、励起電子状態にある窒素を含む分子、又は窒素を含む分子イオンを照射することにより、単結晶表面にGaNを形成する。

請求項（抜粋）：

Ga、In、Al又はBの中から少なくとも1つ選択されるIIIb族元素と、As又はPの中から少なくとも1つ選択されるVb族元素と、からなるIIIb-Vb族化合物半導体からなる単結晶を、該単結晶表面からVb族元素が蒸発する温度以上に加熱した状態で、前記単結晶表面に、励起電子状態にある窒素原子、窒素イオン、励起電子状態にある窒素を含む分子、又は窒素を含む分子イオンを照射することにより、前記単結晶表面にIIIb族元素と窒素からなる窒化化合物半導体を形成することを特徴とする窒化化合物半導体の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C30B 28/14 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/205