特許

J-GLOBAL ID：200903031898459410

発光ダイオードおよびその製造方法

発明者： 海野 恒弘 ,  今野 泰一郎 ,  柴田 憲治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348571
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151733
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 高光度で製造が容易な発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 このLEDは、n型GaAs基板2上に、電流阻止層3を形成し、この上にn型AlGaInPクラッド層4、AlGaInP活性層5、およびp型AlGaInPクラッド層6からなる発光部10を形成し、この上にp型AlGaInP電流分散層7を成長させ、この上に表面電極9を形成し、n型GaAs基板2の下に裏面電極1を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板と、前記基板の上に順に形成された第1導電型のクラッド層、活性層および第2導電型のクラッド層からなる発光部と、前記発光部の上に形成された第2導電型の電流分散層と、前記電流分散層の表面側の一部に形成された表面電極と、前記基板の裏面に全面あるいは一部に形成された裏面電極と、前記表面電極の直下であって前記基板と前記発光部の界面に形成され、所定の大きさを有し、第2導電型あるいは高抵抗の電流阻止層とを備えたことを特徴とする発光ダイオード。

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CB03 ,  5F041CB04