薄膜トランジスタ、液晶表示装置およびそれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：樺澤襄 , 樺澤聡 , 山田哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-237891
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053263
出願日： 2005年08月18日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】電流のリークを防止できる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ5のゲート絶縁膜16よりも外側に突出して露出した活性層6の周縁を周方向に亘って窒化して絶縁化領域14とする。活性層6のソース領域12とドレイン領域13との間でゲート電極18周辺の活性層6を伝ってチャネル領域11を迂回して電流がリークする現象の発生を防止できる。薄膜トランジスタ5のソース領域12およびドレイン領域13間での電流のリークを簡単な構成で確実に防止できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル領域、このチャネル領域の両側に設けられたソース領域およびドレイン領域を備え、これらチャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を含む領域の周縁に高抵抗化領域が設けられた半導体層と、この半導体層上に設けられた絶縁層と、前記半導体層のチャネル領域に対向して前記絶縁層上に設けられたゲート電極とを具備したことを特徴とした薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136

FI (2件)：

H01L29/78 621 , G02F1/1368

Fターム (44件)：

2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA36 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KB21 , 2H092MA07 , 2H092MA13 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 5F110AA06 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG23 , 5F110GG26 , 5F110GG39 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL23 , 5F110HM04 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110QQ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-085613 出願人：松下電器産業株式会社

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