特許
J-GLOBAL ID：200903031907838119
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999006761
公開番号（公開出願番号）：WO2000-033370
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月08日
要約：
【要約】銅、銀、金、又はこれら金属の1種以上を主成分として含有する合金から選択されるいずれか1種の金属表面を、少なくとも酸化窒素を含むエッチングガスのプラズマによりこれと反応させながらエッチングし、銅、銀、金、又はこれら金属の2種以上を主成分として含有する合金からなる導電材料、伝熱材料、さらには電気接点材料等に対して微細な加工を可能とする。
請求項（抜粋）：
銅、銀、金、又はこれら金属の1種以上を主成分として含有する合金から選択されるいずれか1種の金属表面を、少なくとも酸化窒素を含むエッチングガスのプラズマによりこれと反応させながらエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 A
