特許

J-GLOBAL ID：200903031908937684

スパッタターゲット、配線膜および電子部品

発明者： 渡邊 光一 ,  鈴木 幸伸 ,  藤岡 直美 ,  石上 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130229
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323433
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線のバリア層などとして用いられるTaN膜において、膜厚の面内均一性を例えば5%以下とすることが望まれており、そのようなTaN膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。【解決手段】 高純度TaNからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてX線回折法で測定された (101)面のピーク強度と (110)面のピーク強度の比((101)/(110))が0.49±30% 以内である。ターゲット表面全体における(101)/(110)ピーク強度比のバラツキは±30% 以内とされている。配線膜はこのようなスパッタターゲットを用いて成膜したTaN膜を具備し、具体的にはTaN膜からなるバリア層とその上に形成されたCu膜とを有する。

請求項（抜粋）：

高純度TaNからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてX線回折法で測定された (101)面のピーク強度と (110)面のピーク強度の比((101)/(110))が0.49±30% 以内であることを特徴とするスパッタターゲット。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 14/34

FI (3件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 14/34 A

Fターム (11件)：

4K029BA08 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029DC05 ,  4K029DC22 ,  4K029DC24 ,  4M104BB32 ,  4M104DD40 ,  4M104FF18 ,  4M104HH20