特許

J-GLOBAL ID：200903031921560085

半導体装置の温度特性測定方法及びその装置

発明者： 塩野 秀昭 ,  吉田 佳弘
出願人/特許権者： 旭化成マイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 宮園 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-292483
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の温度特性を正確に把握することのできる半導体装置の温度特性測定方法及びその装置を提供することを目的とする。【解決手段】 複数のLSI10の各温度センサ部11の所定のピンの各温度での出力特性を外部測定器21で測定し、外部メモリ書き込み装置22により当該LSIの不揮発性メモリ13にそれぞれ記憶した後、この記憶された各温度で出力特性を外部メモリ読み込み装置23で読み出し、外部計算機24により当該LSIの出力電圧の傾きa0を直接求めるようにした。

請求項（抜粋）：

複数の温度において、複数の半導体装置のそれぞれの所定のピンの出力特性を測定する際、各温度毎に全ての半導体装置の測定を行い、上記各半導体装置の温度特性の良否を判定する半導体装置の温度特性測定方法において、上記ピンの各温度での出力特性を当該半導体装置の不揮発性メモリにそれぞれ記憶した後、この記憶された各温度で出力特性を読み出して各半導体装置の温度特性を求めるようにしたことを特徴とする半導体装置の温度特性測定方法。

IPC (3件)：

G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01R 31/26 H ,  H01L 21/66 F ,  H01L 21/66 H ,  G01R 31/28 Y ,  G01R 31/28 V

Fターム (35件)：

2G003AA08 ,  2G003AA10 ,  2G003AB00 ,  2G003AC03 ,  2G003AD02 ,  2G003AE01 ,  2G003AF02 ,  2G003AF06 ,  2G003AF08 ,  2G003AH01 ,  2G003AH04 ,  2G032AA08 ,  2G032AB03 ,  2G032AB12 ,  2G032AB13 ,  2G032AC03 ,  2G032AE08 ,  2G032AE10 ,  2G032AE12 ,  2G032AG04 ,  2G032AG10 ,  2G032AH07 ,  2G032AK02 ,  2G032AK15 ,  2G032AL11 ,  4M106AA04 ,  4M106AA07 ,  4M106AB08 ,  4M106AC07 ,  4M106BA14 ,  4M106BA20 ,  4M106CA31 ,  4M106DH02 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ20