特許
J-GLOBAL ID：200903031923201686
荷電粒子線装置及び半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167436
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351557
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 ビーム制御の応答が速い荷電粒子線装置及びそれを使用した半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 (a)に示すように、ビームチューブ1には縦方向に2ヶ所、スリット2が設けられている。スリット2は機械加工により作製され、ビームチューブ1を貫通している。図では手前のスリットしか見えていないが、後ろ側の対称の位置にもう1つスリットがある。それにより、渦電流4のループが(b)に示すように2分され、スリット2が無い場合の渦電流のループと比べ、内部の面積がおよそ2/5に減少している。そのため、渦電流に起因するビーム制御の遅延も約2/5に改善される。
請求項（抜粋）：
荷電粒子線を使用して描画や露光を行う荷電粒子線装置であって、ライナーチューブの内側に設けられるビームチューブに、渦電流を分断するスリットが設けられていることを特徴とする荷電粒子線装置。
IPC (3件)：
H01J 37/16
, G03F 7/20 504
, H01L 21/027
H01J 37/16
, G03F 7/20 504
, H01L 21/30 541 A
2H097AA03
, 2H097CA16
, 5F056EA01
, 5F056EA08
