特許

J-GLOBAL ID：200903031923709485

半導体センサ及びその製造方法

発明者： 楠山 幸一 ,  塚田 正夫
出願人/特許権者： 株式会社日立ユニシアオートモティブ
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-119678
公開番号（公開出願番号）：特開2004-325220
出願日： 2003年04月24日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】センサに作用する応力を緩和し、構成の簡素化を図り、かつ容易に製造できる半導体センサ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板に薄肉状に形成され、印加される力に応じて撓み変形するダイヤフラム部が形成された位置に対応した半導体基板の裏面2a側に設けられた溝部4を有し、この溝部4は、その側面が半導体基板の裏面2a側から表面2b側に向かって漸次拡開して傾斜する拡開傾斜部5aと、この拡開傾斜部5aに連続して、半導体基板の裏面2aから表面2b側に向かって漸次縮小して傾斜する縮小傾斜部5bが形成され、拡開傾斜部5aと縮小傾斜部5bとの傾斜方向が切り替わる部位に角部5cが形成されて構成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に薄肉状に形成され、印加される力に応じて撓み変形するダイヤフラム部と、 前記ダイヤフラム部が形成された位置に対応した前記半導体基板の一方面側に設けられた溝部と、 前記ダイヤフラム部が形成された位置に対応した前記半導体基板の他方面側に設けられて、前記ダイヤフラム部に生じる撓み変形を検出する検出手段と、 前記半導体基板を支持する基台部と を有する半導体センサであって、 前記溝部は、その側面が前記半導体基板の一方面側から他方面側に向かって漸次拡開して傾斜する拡開傾斜部と、この拡開傾斜部に連続して、前記半導体基板の一方面側から他方面側に向かって漸次縮小して傾斜する縮小傾斜部が形成され、前記拡開傾斜部と前記縮小傾斜部との傾斜方向が切り替わる部位に角部が形成されてなる ことを特徴とする半導体センサ。

IPC (4件)：

G01L9/00 ,  G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

FI (5件)：

G01L9/00 303C ,  G01L9/00 305A ,  G01P15/12 D ,  G01P15/125 Z ,  H01L29/84 B

Fターム (19件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE13 ,  2F055EE25 ,  2F055FF01 ,  2F055FF23 ,  2F055GG14 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112FA20