特許
J-GLOBAL ID：200903031929359168
DMDS(ディジタル式微小鏡素子)の鋸断後のウェファ同等処理
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-141871
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153823
出願日： 1994年06月23日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】ウェファの上に製造される脆弱な構造の微細機構素子の保護固定設備および製造方法を提供することを目的とする。【構成】ウェファ上に製造される少なくともひとつの微細構造素子を保護するための固定設備を用意し、この固定設備は素子の上にあって素子との接触を防止するための少なくともひとつの上部空間と、この上部空間に接続された排気用の真空口と、そして素子を取り囲むように固定設備とウェファとで密封状態を形成できる通路を加工された表面とを有する。上部空間を真空に排気する事によってウェファを固定設備に装着した状態で、微細機構素子を破壊するような影響を与える、例えば半導体切り子の洗浄操作を実施し、それらの作業が完了した後素子をウェファから分離することにより、微細機構素子の安定した製造を実現する。
請求項（抜粋）：
ウェファの処理中にウェファの上に配置された少なくともひとつの微細機構素子を保護するための固定設備であって:前記固定設備と前記ウェファ上の前記素子との間の部分の接触を防止するための少なくともひとつの上部空間と;該上部空間に接続され前記上部空間の排気を可能とする少なくともひとつの真空口と;そして前記少なくともひとつの上部空間を定義し、前記固定設備と前記ウェファとが密封状態を形成することを可能とする、機械加工された表面とを含む前記固定設備。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, H01L 21/301
, G02B 26/02
