特許

J-GLOBAL ID：200903031931427448

結晶成長方法及び結晶成長用ラジカル発生装置

発明者： 大塚 武夫 ,  堀江 香代子
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078469
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234892
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗、かつ、高キャリア濃度のP型II-VI族化合物半導体結晶(例えば、ZnSe結晶)のエピタキシャル成長方法及びその装置を提供する。【構成】 導入ガス(窒素ガス)をECR(電子サイクロトロン共鳴)のマイクロ波放電によりプラズマ分解し、これを原料分子線が供給された基板表面へ照射して、成長を行なう。プラズマ分解させるラジカル発生装置(ラジカルガン25)の放電室(25A)の壁面(25B)または全体を、成長結晶させる構成元素(原料分子線)またはその混合物で形成しておく。

請求項（抜粋）：

化合物薄膜の分子線エピタキシャル成長方法であって、導入ガスをマイクロ波放電によりプラズマ分解し、これを原料分子線が供給された基板表面へ照射して成長を行なうようにしたことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  B01J 19/08 ,  C30B 23/08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭62-229823
  
• 特開平3-185816
  
• 特開昭63-303889
  
• 特開平2-021598
  
• 特開平4-338633