特許
J-GLOBAL ID：200903031950142837
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049558
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263808
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザに関し、変調ドーピング量子井戸の構成に簡単な改変を加えるのみで、キャリヤを効率良く井戸層に供給可能とし、また、多重量子井戸にした場合、発光層に供給されるキャリヤの量が全て同一になるようにして、半導体レーザに於ける低閾値電流化及び変調の高速性を向上しようとする。【構成】 ノンドープIn0.65Ga0.35As発光層を積層したn-InGaAsPドーピング層と共にノンドープInGaAsP障壁層で挟んだ多重量子井戸活性層14を備え、ノンドープIn0.65Ga0.35As発光層とn-InGaAsPドーピング層との伝導帯側に於けるバンド・オフセット量はノンドープIn0.65Ga0.35As発光層とノンドープInGaAsP障壁層との伝導帯側のバンド・オフセット量に比較して小さく、且つ、量子井戸の第一量子準位がn-InGaAsPドーピング層の伝導帯の底に比較して低いエネルギ・レベルに在る。
請求項（抜粋）：
ノンドープ発光層をその両側に形成したn型ドーピング層を介してノンドープ障壁層で挟んだ積層体からなる量子井戸で構成された活性層を備え、前記ノンドープ発光層とn型ドーピング層との伝導帯側に於けるバンド・オフセット量は前記ノンドープ発光層と前記ノンドープ障壁層との伝導帯側に於けるバンド・オフセット量に比較して小さく、且つ、量子井戸に於ける第一量子準位がn型ドーピング層に於ける伝導帯の底に比較して低いエネルギ・レベルに在ることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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