特許
J-GLOBAL ID：200903031954869111
接触燃焼式ガスセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-113776
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】アルコールガスの影響を受けない上に0.005ないし0.05%の濃度範囲にある可燃性ガスの検出が可能な感度に優れる接触燃焼式ガスセンサを得る。【構成】半導体基体11に誘電体層10で橋絡部を形成するとともにこの橋絡部の上に4個の金属薄膜抵抗体7A,7B,7C,7Dを形成し、この金属薄膜抵抗体をホィートストンブリッジ回路に組む。金属薄膜抵抗体を加熱体としてまた抵抗測温体として用いる。隣接する金属薄膜抵抗体の上にガス検知層5と補償層6をそれぞれ設ける。ガス検知層5はアルミナ担体に貴金属を担持し、補償層6はアルミナ担体に酸化銅を担持する。
請求項（抜粋）：
基体に設けられた橋絡部と、薄膜熱感知体と、ガス検知層と、補償層を有し、橋絡部は誘電体層からなるとともに薄膜熱感知体と、ガス検知層と、補償層を支持し、薄膜熱感知体は加熱体であるとともに測温抵抗体であり、同種の4個のものがホィートストンブリッジ回路を構成し、ガス検知層は金属酸化物に貴金属触媒を担持してなる層で二個以下の薄膜熱感知体を被覆し、補償層は前記金属酸化物と同一の金属酸化物に酸化銅を担持してなる層でガス検知層と同数であり、且つガス検知層の設けられた薄膜熱感知体に電気的に隣接する薄膜熱感知体を被覆するものであることを特徴とする接触燃焼式ガスセンサ。
引用特許：
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