特許
J-GLOBAL ID：200903031960740597
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232617
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074798
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】トランジスタのエミッタまたはソース端子に直列に抵抗を内蔵することによりバイアス構成時の部品点数削減,実装スペースの削減ができるようにしている。【構成】絶縁膜上に形成された多結晶シリコンにより、エミッタまたはソース抵抗を一体形成している。【効果】エミッタ抵抗または、ソース抵抗を内蔵することにより、使用部品点数削減及びそれによるコスト低減,また実装スペースの削減ができる。
請求項（抜粋）：
トランジスタが設けられた半導体基板の主面上の絶縁膜の上に該トランジスタに接続するエミッタ抵抗またはソース抵抗を設け該抵抗を含めてディスクリート半導体素子としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 27/06
H01L 29/72
, H01L 27/06 101 D
