特許

J-GLOBAL ID：200903031965808890

有機膜パターン形成方法

発明者： 吉田 幸治
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228434
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053418
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】反応イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etchting)を用いて、多層配線基板の有機膜パターンを作製する上で、金属膜をRIEレジストにする場合に、基板とのアライメントをとることができる有機膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】回路基板上に有機膜を形成し、RIEでパターン形成する工程において、耐RIE性に優れている金属をRIEレジストとして使用して、有機膜上にリフトオフ法によりRIEレジストパターン形成する。これにより、フォトマスクと基板とのアライメントを行うことができる。また、耐RIE性を示す金属材料として、NiCr、Pd、Auの金属およびその合金を使用するのが有効である。

請求項（抜粋）：

回路基板上に有機膜を形成し、該有機膜をRIEでパターン形成する有機膜パターン形成方法において、該有機膜上に、耐RIE性に優れる金属をリフトオフ法によってパターン形成し、該金属パターンをレジストとして有機膜にRIEを施すことを特徴とする有機膜パターン形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/02 ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H05K 3/02 A ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 F

Fターム (29件)：

2H096AA26 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096HA28 ,  5E339AB01 ,  5E339AB06 ,  5E339AD05 ,  5E339BC01 ,  5E339BD03 ,  5E339BD05 ,  5E339BD13 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB25 ,  5F004EA02 ,  5F004EA05 ,  5F004EA15 ,  5F004EA17 ,  5F004EA26 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F046MA19 ,  5F046NA17