特許

J-GLOBAL ID：200903031967670888

半導体レーザ装置

発明者： 松浦 初美
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-030106
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233875
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 生産性の向上及び薄型化を可能にする半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 レーザ光を発光する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光をモニタして前記半導体レーザの光出力を制御するための半導体受光チップとを備えた半導体レーザ装置において、前記半導体受光チップは、第1導電型の半導体材料上に第2導電型の半導体材料が積層される共に、チップ側面が所定の角度をもって傾斜状に形成された構造を成し、前記半導体受光チップの傾斜面と前記半導体レーザの出射面とが対向するように該半導体受光チップと半導体レーザとを同一平面上にマウントしたことにある。

請求項（抜粋）：

レーザ光を発光する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光をモニタして前記半導体レーザの光出力を制御するための半導体受光チップとを備えた半導体レーザ装置において、前記半導体受光チップは、第1導電型の半導体材料上に第2導電型の半導体材料が積層される共に、チップ側面が所定の角度をもって傾斜状に形成された構造を成し、前記半導体受光チップの傾斜面と前記半導体レーザの出射面とが対向するように該半導体受光チップと半導体レーザとを同一平面上にマウントしたことを特徴とする半導体レーザ装置。