特許

J-GLOBAL ID：200903031974625120

半導体装置

発明者： 関口 知紀 ,  横山 夏樹 ,  尾内 享裕 ,  後藤 康 ,  高浦 則克 ,  山中 聖子
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217458
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063605
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】フラッシュメモリのような高電圧や、強誘電体メモリのようなシリコンLSIプロセスに対する異種材料を必要としない不揮発メモリが必要である。【解決手段】フローティングゲートに電荷を蓄積する不揮発メモリにおいて、メモリセル内に配置した機械的なスイッチによりフローティングゲートへの電荷の書き込みを行う。【効果】半導体基板中に集積された機械的なスイッチはオン電流とオフ電流の比が非常に大きく、高速書き込みと十分なリテンション時間を実現できる。また低電圧動作が可能であり、異種材料を必要としない。このため、本スイッチを用いた不揮発メモリにおいては消費電力が低減されると同時に、シリコンLSIプロセスとの整合性が高いためにプロセスコストの低減が可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の不揮発メモリーセルと、複数のリードワード線と、複数のライトワード線と、複数のリードビット線と、複数のライトビット線と、複数のソース線とを有し、 上記複数不揮発メモリーセルのそれぞれは、1個のフローティングゲートMOSトランジスタと1個の機械的スイッチを有し、 上記フローティングゲートMOSトランジスタのソース又はドレイン一つが上記リードビット線に接続され、そのソース又はドレインの残る一つが上記ソース線に接続され、そのフローティングゲートが上記機械的スイッチのドレインに接続され、その制御ゲートが上記リードワード線に接続され、 上記機械的スイッチのソースはライトビット線に接続され、そのゲートは上記ライトワード線に接続される半導体装置。

IPC (11件)：

H01L21/8247 ,  G11C11/41 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (11件)：

H01L27/10 434 ,  G11C17/00 623Z ,  H01L29/78 371 ,  G11C17/00 611Z ,  G11C17/00 633Z ,  G11C17/00 634A ,  G11C17/00 634E ,  G11C17/00 634B ,  G11C11/40 A ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 441

Fターム (23件)：

5B015HH01 ,  5B015HH03 ,  5B015JJ02 ,  5B015KA10 ,  5B015KB74 ,  5B015PP06 ,  5B015QQ16 ,  5B025AA01 ,  5B025AC04 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE07 ,  5F083BS15 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083GA05 ,  5F083KA03 ,  5F083LA03 ,  5F083LA09 ,  5F083LA10 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BE05