特許
J-GLOBAL ID：200903031977441585
半導体圧力センサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213593
公開番号（公開出願番号）：特開平9-061270
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】本発明は、圧力や温度変化によるセンサ信号のドリフトやヒステリシスを無くして安定でかつ圧力を高精度に検出して信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板20及び各歪みセンサ22、23上に、SiO層24、SiN層25、PSG層26及びポリシリコン層27の各層を互いに残留応力をキャンセルする厚さに形成する。
請求項（抜粋）：
一方の面に空洞が形成された半導体材料により成るダイヤフラムの他方の面に歪みセンサを形成し、かつこれらダイヤフラムの他方の面及び前記歪みセンサ上に少なくとも導電層及び前記歪みセンサの信号取出し部を形成した半導体圧力センサにおいて、少なくとも前記ダイヤフラムの他方の面と導電層との間に前記導電層の残留応力をキャンセルする応力を持つ厚さの絶縁層、を形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/04
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01L 19/04
, H01L 29/84 B
