特許

J-GLOBAL ID：200903031979132393

結晶育成装置

発明者： 柿本 浩一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075186
公開番号（公開出願番号）：特開平5-238871
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：

【要約】【目的】 フローティングゾーン法の結晶育成用ミラー炉において、温度分布の均一性を向上する。【構成】 育成炉1の中空体内に円形ヒータ2を有している。育成炉1の中空体は、楕円の一方の焦点O1を内部に含み、他方の焦点O2を通って楕円の長軸lと直交する軸を回転対称軸Aとして形成された中空体であり、内面に鏡面を有している。円形ヒータ2は、環状発熱体であり、中空体内に含まれる前記焦点O1の位置に配置したものである。結晶成長すべき被加熱物体4は、回転対称軸A上に置かれ、円形ヒータ2からの放射熱及び鏡面からの反射熱は、被加熱物体4の全周に均等に作用して周方向に軸対称の温度分布が得られる。

請求項（抜粋）：

育成炉と円形ヒータとを有し、フローティングゾーン法を用いて結晶育成を行う結晶育成装置であって、育成炉は、楕円の一方の焦点を含み、他方の焦点を通って楕円の長軸と直交する軸を回転対称軸として形成された中空体であり、中空体内面に鏡面を有し、円形ヒータは、円環状発熱体であり、回転対称軸の同心上で前記一方の焦点位置に設置され、回転対称軸上には、結晶育成すべき被加熱物を設置するものであることを特徴とする結晶育成装置。